or

ترجمه مقاله تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد

تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد

چکیده__ در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به منظور بالا بردن انعطاف در طراحی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D روی لایه ی سیلیکون-بر-عایق (SOI)، به منظور ساخت ترانزیستورهای CMOS-مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. انتخاب نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک-گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند بعدی این روش در ساخت اینورتر VS-NW-CMOS نشان داده شده است.

پروژه کارشناسی ارشد برق
فایل محتوای:
1) اصل مقاله لاتین 2010 IEEE
2) متن ورد ترجمه شده بصورت کاملا تخصصی

فایل ورد 9 صفحه ای

69,000 ریال – Download

ثبت رایگان مشاغل و نیازمندی ها





اطمینان به اصالت سایت / راهنمای خرید/ کد تخفیف / گزارش مشکل در خرید/ تبلیغات در سایت

پاسخی بگذارید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.

44 + = 45