ترجمه مقاله مدل حرارتی VCSEL (لیزر حفره-عمودی انتشار-سطحی) بر مبنای معادله سرعت و شبیه سازی


ترجمه مقاله مدل حرارتی VCSEL (لیزر حفره-عمودی انتشار-سطحی) بر مبنای معادله سرعت و شبیه سازی

چکیده__ در این مقاله ما یک مدل حرارتی ساده از مشخصه های جریان-نور (LI) لیزر حفره-عمودی انتشار-سطحی را بر مبنای معادله ی سرعت، ارایه می دهیم. این مدل را می توان در شبیه سازهای مداری خوانوداده ی SPICE، شامل HSPICE پیاده سازی کرده و ویژگی های کلیدی VCSEL را شبیه سازی کرد. نتایج بطور مطلوبی با اطلاعات تجربی یک دستگاه که در نوشتجات پیشین آورده شده بود، قابل مقایسه می باشد. این مدل آزمایشی بویژه برای طراحی های کامپیوتری (CAD) مناسب بوده و بطور شگفت آوری طراحی سیستم های ارتباطی نوری را ساده می سازد.

کلیدواژه ها: نشتی حامل، لیزرهای حفره-عمودی انتشار-سطحی (VCSEL)، معادله سرعت، مدل حرارتی، شبیه سازی SPICE.

پروژه کارشناسی ارشد برق

فایل محتوای:
1) اصل مقاله لاتین 5 صفحه
2) متن ورد ترجمه شده بصورت کاملا تخصصی 13 صفحه

 

Rate-equation-based VCSEL thermal model and simulation*
LIU Jie†1,2, CHEN Wen-lu1, LI Yu-quan2
(1Jiangnan Institute of Computing Technology, Wuxi 214083, China)
(2Institute of Communications Engineering, PLA Univ. of Sci. & Tech., Nanjing 210007, China)
†E-mail: flybirdlj@163.com
Received Apr. 10, 2006; revision accepted Aug. 21, 2006
Abstract: In this paper, we present a simple thermal model of Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) light-current (LI)
characteristics based on the rate-equation. The model can be implemented in conventional SPICE-like circuit simulators, including
HSPICE, and be used to simulate the key features of VCSEL. The results compare favorably with experimental data from a device
reported in the literature. The simple empirical model is especially suitable for Computer Aided Design (CAD), and greatly simplifies
the design of optical communication systems.
Key words: Carrier leakage, Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (VCSELs), Rate-equation, Thermal model, SPICE simulation
doi:10.1631/jzus.2006.A1968 Document code: A CLC number: TN2
INTRODUCTION
Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers
(VCSELs) are a new generation of semiconductor
lasers that differ considerably from the conventional
edge-emitting lasers. In recent years, the characteristics
of VCSELs have improved enormously (Badilita
et al., 2004). Today’s VCSELs have low-threshold
current densities and high output power. Moreover,
their circular output beam profiles and the suitability
to be integrated into 2D arrays make them most
promising candidates for short-range optical communications
and optical interconnects.
Due to the large resistance introduced by the
distributed Bragg reflectors (DBRs) and their poor
heat dissipation, VCSELs have strong dependence on
their thermal effect. Temperature effect on semiconductor
lasers is an important factor to be considered in
laser design and application. Obviously, in order to
design VCSELs with even better performance, it is
important to be able to model the devices with optical
فایل ورد 13 صفحه ای

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *